Zetterling, Carl Mikael: шукати на сайті Z-Library

Elahipanah, Hossein, Salemi, Arash, Zetterling, Carl Mikael, Östling, Mikael

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 382 KB

english, 2011

4.5-kV 20-mΩ.cm2 Implantation-Free 4H-SiC BJT with Trench Structures on the Junction Termination Extension

Журнал:

Hedayati, Raheleh, Lanni, Luigia, Rusu, Ana, Zetterling, Carl-Mikael

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.28 MB

english, 2015

Wide Temperature Range Integrated Bandgap Voltage References in 4H-SiC

Журнал:

Elahipanah, Hossein, Salemi, Arash, Zetterling, Carl-Mikael, Ostling, Mikael

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.09 MB

english, 2015

Intertwined Design: A Novel Lithographic Method to Realize Area Efficient High-Voltage SiC BJTs and Darlington Transistors

Журнал:

Hou, Shuoben, Hellstrom, Per-Erik, Zetterling, Carl-Mikael, Ostling, Mikael

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 5.11 MB

english, 2016

550 °C 4H-SiC PIN Photodiode Array with Two-Layer Metallization

Журнал:

Hou, Shuoben, Hellstrom, Per-Erik, Zetterling, Carl-Mikael, Ostling, Mikael

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.62 MB

english, 2016

Scaling and Modeling of High Temperature 4H-SiC p-i-n Photodiodes

Журнал:

IEEE Journal of the Electron Devices Society

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.18 MB

english, 2018

A Monolithic 500°C D-Flip Flop Realized in Bipolar 4H-SiC TTL Technology

Shakir, Muhammad, Hou, Shuo Ben, Zetterling, Carl Mikael

Журнал:

Carl-Mikael Zetterling, Fanny Dahlquist, Nils Lundberg, Mikael Östling, Kurt Rottner, Lennart Ramberg

Рік:

2019

Файл:

PDF, 642 KB

2019

Junction barrier Schottky diodes in 6H SiC

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 144 KB

english, 1998

[IEEE 2012 IEEE Custom Integrated Circuits Conference - CICC 2012 - San Jose, CA, USA (2012.09.9-2012.09.12)] Proceedings of the IEEE 2012 Custom Integrated Circuits Conference - Present and future applications of Silicon Carbide devices and circuits

Zetterling, Carl-Mikael

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 959 KB

english, 2012

[IEEE 19th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's - Jeju, Korea (2007.05.27-2007.05.31)] Proceedings of the 19th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's - Influence of the base contact on the electrical characteristics of SiC BJTs

Lee, Hyung-Seok, Domeij, Martin, Zetterling, Carl-Mikael, Ostling, Mikael, Heinze, Birk, Lutz, Josef

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.56 MB

english, 2007

Integrated circuits in silicon carbide for high-temperature applications

Zetterling, Carl-Mikael

Журнал:

MRS Bulletin

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 774 KB

english, 2015

[IEEE 2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) - Hong Kong, China (2015.5.10-2015.5.14)] 2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) - Conductivity modulated on-axis 4H-SiC 10+ kV PiN diodes

Salemi, Arash, Elahipanah, Hossein, Buono, Benedetto, Hallen, Anders, Hassan, Jawad Ul, Bergman, Peder, Malm, Gunnar, Zetterling, Carl-Mikael, Ostling, Mikael

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 814 KB

english, 2015

Optimal Emitter Cell Geometry in High Power 4H-SiC BJTs

Salemi, Arash, Elahipanah, Hossein, Zetterling, Carl-Mikael, Ostling, Mikael

Журнал:

Salemi, Arash, Elahipanah, Hossein, Malm, Gunnar, Zetterling, Carl-Mikael, Ostling, Mikael

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 652 KB

english, 2015

[IEEE 2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) - Hong Kong, China (2015.5.10-2015.5.14)] 2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) - Area- and efficiency-optimized junction termination for a 5.6 kV SiC BJT process with low ON-resistance

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 511 KB

english, 2015

Bipolar integrated circuits in SiC for extreme environment operation

Zetterling, Carl-Mikael, Hallén, Anders, Hedayati, Raheleh, Kargarrazi, Saleh, Lanni, Luigia, Malm, B Gunnar, Mardani, Shabnam, Norström, Hans, Rusu, Ana, Suvanam, Sethu Saveda, Tian, Ye, Östling, Mik

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 452 KB

english, 2017

A Fully Integrated Silicon-Carbide Sigma-Delta Modulator Operating up to 500 °C

Tian, Ye, Zetterling, Carl-Mikael

Журнал:

Salemi, Arash, Elahipanah, Hossein, Jacobs, Keijo, Zetterling, Carl-Mikael, Ostling, Mikael

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.43 MB

english, 2017

15 kV-Class Implantation-Free 4H-SiC BJTs With Record High Current Gain

Журнал:

Shakir, Muhammad, Hou, Shuoben, Metreveli, Alexey, Rashid, Arman Ur, Mantooth, Homer Alan, Zetterling, Carl-Mikael

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.03 MB

english, 2018

555-Timer and Comparators Operational at 500 °C

Журнал:

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.34 MB

english, 2019

Silicon Carbide Bipolar Analog Circuits for Extreme Temperature Signal Conditioning

Roy, Sajib, Rashid, Arman Ur, Abbasi, Affan, Murphree, Robert C., Hossain, MD Maksudul, Faruque, Asif, Metreveli, Alex, Zetterling, Carl-Mikael, Fraley, John, Sparkman, Brett, Mantooth, H. Alan

Журнал:

Hou, Shuoben, Shakir, Muhammad, Hellstrom, Per-Erik, Zetterling, Carl-Mikael, Ostling, Mikael

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.88 MB

english, 2019

[IEEE 2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM) - Singapore, Singapore (2019.3.12-2019.3.15)] 2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM) - Process Control and Optimization of 4H-SiC Semiconductor Devices and Circuits

Рік:

2019

Файл:

PDF, 210 KB

2019

Suppression of Short-Channel Effects in 4H-SiC Trench MOSFETs

Ishii, Tomoyasu, Kuroki, Shinichiro, Sezaki, Hiroshi, Ishikawa, Seiji, Maeda, Tomonori, Makino, Takahiro, Ohshima, Takeshi, Östling, Mikael, Zetterling, Carl Mikael

Журнал:

Hou, Shuo Ben, Hellström, Per Erik, Zetterling, Carl Mikael, Östling, Mikael

Рік:

2019

Файл:

PDF, 1.18 MB

2019

High Temperature High Current Gain IC Compatible 4H-SiC Phototransistor

Журнал:

Inoue, Jun, Kuroki, Shinichiro, Ishikawa, Seiji, Maeda, Tomonori, Sezaki, Hiroshi, Makino, Takahiro, Ohshima, Takeshi, Östling, Mikael, Zetterling, Carl Mikael

Рік:

2019

Файл:

PDF, 1.96 MB

2019

4H-SiC Trench pMOSFETs for High-Frequency CMOS Inverters

Журнал:

Mikael Östling, Sang-Mo Koo, Carl-Mikael Zetterling, Sergey Khartsev, Alex Grishin

Рік:

2019

Файл:

PDF, 1.02 MB

2019

Ferroelectric thin films on silicon carbide for next-generation nonvolatile memory and sensor devices

Журнал:

Thin Solid Films

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 613 KB

english, 2004

UV–ozone precleaning and forming gas annealing applied to wet thermal oxidation of p-type silicon carbide

Carl-Mikael Zetterling, Mikael Östling, Chris I Harris, Peter C Wood, S.Simon Wong

Журнал:

Materials Science in Semiconductor Processing

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 121 KB

english, 1999

CVD-based tungsten carbide schottky contacts to 6H-SiC for very high-temperature operation

Nils Lundberg, Mikael Östling, Carl-Mikael Zetterling, Per Tägtström, Ulf Jansson

Журнал:

Journal of Electronic Materials

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 157 KB

english, 2000

Foreword

Ilesanmi Adesida, Joan Redwing, Laura Rea, Carl -Mikael Zetterling

Журнал:

Journal of Electronic Materials

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 42 KB

english, 2001

Foreword

Michael Capano, Russ Dupuis, Joan Redwing, Carl-Mikael Zetterling

Журнал:

Journal of Electronic Materials

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 39 KB

english, 2002

[IEEE IC's (ISPSD) - San Diego, CA, USA (2011.05.23-2011.05.26)] 2011 IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs - SiC power devices — Present status, applications and future perspective

Ostling, Mikael, Ghandi, Reza, Zetterling, Carl-Mikael

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 676 KB

english, 2011

Future high temperature applications for SiC integrated circuits

Carl-Mikael Zetterling, Luigia Lanni, Reza Ghandi, B. Gunnar Malm, Mikael Östling

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 409 KB

english, 2012

Structural and electrical characteristics of oxygen-implanted 6H-SiC

Lianwei Wang, Jipo Huang, Xinzhong Duo, Zhitang Song, Chenglu Lin, Carl-Mikael Zetterling, Mikael Östling

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 106 KB

english, 2000

Growth of SiC Thin Films on (100) and (111) Silicon by Pulsed Laser Deposition Combined with a Vacuum Annealing Process

Huang, Jipo, Wang, Lianwei, Wen, Jun, Wang, Yuxia, Lin, Chenglu, Zetterling, Carl-Mikael, Ostling, Mikael

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 608 KB

english, 1999

Lateral p-n-p Transistors and Complementary SiC Bipolar Technology

Lanni, Luigia, Malm, Bengt Gunnar, Ostling, Mikael, Zetterling, Carl-Mikael

Журнал:

Suvanam, Sethu Saveda, Lanni, Luigia, Malm, Bengt Gunnar, Zetterling, Carl-Mikael, Hallen, Anders

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 594 KB

english, 2014

Effects of 3-MeV Protons on 4H-SiC Bipolar Devices and Integrated OR-NOR Gates

Журнал:

IEEE Transactions on Nuclear Science

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 958 KB

english, 2014

500$^{\circ}{\rm C}$ Bipolar Integrated OR/NOR Gate in 4H-SiC

Lanni, Luigia, Malm, Bengt Gunnar, Ostling, Mikael, Zetterling, Carl-Mikael

Журнал:

Kang, Min-Seok, Lee, Jung-Ho, Hallen, Anderson, Zetterling, Carl-Mikael, Koo, Sang-Mo

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 716 KB

english, 2013

[IEEE 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) - College Park, MD, USA (2011.12.7-2011.12.9)] 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) - Effect of annealing temperature on the barrier height of nano-particle embedded Ni-contacts to 4H-SiC

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 377 KB

english, 2011

[IEEE 2013 14th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS) - Oxford, United Kingdom (2013.9.23-2013.9.27)] 2013 14th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS) - Effects of 3 MeV protons on 4H-SiC bipolar devices and integrated OR-NOR gates

Suvanam, Sethu Saveda, Lanni, Luigia, Malm, Bengt Gunnar, Zetterling, Carl-Mikael, Hallen, Anders

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.74 MB

english, 2013

[IEEE 2007 European Conference on Power Electronics and Applications - Aalborg, Denmark (2007.09.2-2007.09.5)] 2007 European Conference on Power Electronics and Applications - Analysis of the base current and saturation voltage in 4H-SiC power BJTs

Domeij, Martin, Lee, Hyung-Seok, Zetterling, Carl-Mikael, Ostling, Mikael

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 407 KB

english, 2007

Ferroelectric Pb(Zr[sub 0.52]Ti[sub 0.48])/SiC field-effect transistor

Koo, Sang-Mo, Khartsev, Sergey, Zetterling, Carl-Mikael, Grishin, Alex, Östling, Mikael

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 279 KB

english, 2003

Local Anodic Oxidation of Phosporous-Implanted 4H-SiC by Atomic Force Microscopy

Lee, Jung Ho, Ahn, Jung Jun, Hallén, Anders, Zetterling, Carl Mikael, Koo, Sang Mo

Журнал:

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 455 KB

english, 2012

Metal Work-function and Doping-Concentration Dependent Barrier Height of Ni-Contacts to 4H-SiC with Metal-Embedded Nano-Particles

Kang, Min Seok, Lee, Jung Ho, Hallén, Anders, Zetterling, Carl Mikael, Bahng, Wook, Kim, Nam Kyun, Koo, Sang Mo

Журнал:

Buono, Benedetto, Ghandi, Reza, Domeij, Martin, Malm, B. Gunnar, Zetterling, Carl Mikael, Östling, Mikael

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 515 KB

english, 2012

Investigation of Current Gain Degradation in 4H-SiC Power BJTs

Журнал:

Lanni, Luigia, Ghandi, Reza, Zetterling, Carl Mikael, Malm, B. Gunnar, Östling, Mikael

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 358 KB

english, 2012

Bipolar Integrated OR-NOR Gate in 4H-SiC

Журнал:

Xia, Jing Hua, Martin, David M., Suvanam, Sethu Saveda, Zetterling, Carl Mikael, Östling, Mikael

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.73 MB

english, 2012

Characterization of LaxHfyO Gate Dielectrics in 4H-SiC MOS Capacitor

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 518 KB

english, 2014

Experimental Evaluation of Different Passivation Layers on the Performance of 3kV 4H-SiC BJTs

Ghandi, Reza, Domeij, Martin, Esteve, Romain, Buono, Benedetto, Schöner, Adolf, Han, Ji Sheng, Dimitrijev, Sima, Reshanov, Sergey A., Zetterling, Carl Mikael, Östling, Mikael

Журнал:

Salemi, Arash, Elahipanah, Hossein, Buono, Benedetto, Zetterling, Carl Mikael, Östling, Mikael

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 320 KB

english, 2010

Area-Optimized JTE for 4.5 kV Non Ion-Implanted 4H-SiC BJT

Журнал:

Östling, Mikael, Ghandi, Reza, Malm, B. G., Buono, Benedetto, Zetterling, Carl Mikael

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.51 MB

english, 2013

ECS Transactions [ECS 220th ECS Meeting - Boston, MA (October 9 - October 14, 2011)] - (Invited) Silicon Carbide Bipolar Power Devices

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 544 KB

english, 2011

Fabrication and Design of 10 kV PiN Diodes Using On-Axis 4H-SiC

Salemi, Arash, Buono, Benedetto, Hallén, Anders, Ul Hassan, Jawad, Bergman, Peder, Zetterling, Carl Mikael, Östling, Mikael

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 928 KB

english, 2014

Measurements and Simulations of Lateral PNP Transistors in a SiC NPN BJT Technology for High Temperature Integrated Circuits

Lanni, Luigia, Ghandi, Reza, Domej, Martin, Zetterling, Carl Mikael, Malm, Gunnar, Östling, Mikael

Журнал:

Smedfors, Katarina, Lanni, Luigia, Östling, Mikael, Zetterling, Carl Mikael

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.01 MB

english, 2011

Characterization of Ohmic Ni/Ti/Al and Ni Contacts to 4H-SiC from -40°C to 500°C

Журнал: